Ebook: Silizium-Halbleitertechnologie

Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchf?hrung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen gen?gen m?ssen, um die geforderten Strukturgr??en bis zu wenigen 100 nm gleichm??ig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, ?tzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erl?utert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchf?hrung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik. Zur weiteren Verdeutlichung des Stoffes wurden in der 4. Auflage Abbildungen und vor allem weitere ?bungsaufgaben erg?nzt.
"Ulrich Hilleringmann ist mit seinem (...) Buch genau dies gelungen: die komplexe und umfangreiche Materie pr?zise und doch stets verst?ndlich darzustellen."
Elektronik, 11/2003

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Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchf?hrung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen gen?gen m?ssen, um die geforderten Strukturgr??en bis zu wenigen 100 nm gleichm??ig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, ?tzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erl?utert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchf?hrung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik. Zur weiteren Verdeutlichung des Stoffes wurden in der 4. Auflage Abbildungen und vor allem weitere ?bungsaufgaben erg?nzt.
"Ulrich Hilleringmann ist mit seinem (...) Buch genau dies gelungen: die komplexe und umfangreiche Materie pr?zise und doch stets verst?ndlich darzustellen."
Elektronik, 11/2003

Content:
Front Matter....Pages I-XIII
Einleitung....Pages 1-4
Herstellung von Siliziumscheiben....Pages 5-24
Oxidation des Siliziums....Pages 25-38
Lithografie....Pages 39-64
?tztechnik....Pages 65-90
Dotiertechniken....Pages 91-118
Depositionsverfahren....Pages 119-137
Metallisierung und Kontakte....Pages 138-159
Scheibenreinigung....Pages 160-170
MOS-Technologien zur Schaltungsintegration....Pages 171-202
Erweiterungen zur H?chstintegration....Pages 203-247
Bipolar-Technologie....Pages 248-261
Montage integrierter Schaltungen....Pages 262-289
Back Matter....Pages 290-326

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Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchf?hrung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen gen?gen m?ssen, um die geforderten Strukturgr??en bis zu wenigen 100 nm gleichm??ig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, ?tzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erl?utert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchf?hrung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik. Zur weiteren Verdeutlichung des Stoffes wurden in der 4. Auflage Abbildungen und vor allem weitere ?bungsaufgaben erg?nzt.
"Ulrich Hilleringmann ist mit seinem (...) Buch genau dies gelungen: die komplexe und umfangreiche Materie pr?zise und doch stets verst?ndlich darzustellen."
Elektronik, 11/2003

Content:
Front Matter....Pages I-XIII
Einleitung....Pages 1-4
Herstellung von Siliziumscheiben....Pages 5-24
Oxidation des Siliziums....Pages 25-38
Lithografie....Pages 39-64
?tztechnik....Pages 65-90
Dotiertechniken....Pages 91-118
Depositionsverfahren....Pages 119-137
Metallisierung und Kontakte....Pages 138-159
Scheibenreinigung....Pages 160-170
MOS-Technologien zur Schaltungsintegration....Pages 171-202
Erweiterungen zur H?chstintegration....Pages 203-247
Bipolar-Technologie....Pages 248-261
Montage integrierter Schaltungen....Pages 262-289
Back Matter....Pages 290-326
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